特許
J-GLOBAL ID：200903050527533140
固体電解コンデンサの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-294418
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153650
出願日： 1994年11月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】導電性高分子化合物を固体電解質とする固体電解コンデンサにおいて、高分子化合物層形成時の反応液の這い上りに基づく漏れ電流発生を、容量出現率を犠牲にすることなく、防止する。【構成】導電性高分子化合物層形成(ステップS5)に先立って、陽極リード根元部分および焼結体の陽極リード植立面に溌水性樹脂層を形成する(ステップS3)。溌水性樹脂として紫外線硬化型シリコーン樹脂を用いるので、硬化の過程で熱を加える必要がなく、加熱され低粘度化した溌水性樹脂の焼結体中への浸透に起因する容量出現率の減少はない。溌水性樹脂層の形成(ステップS3)は、陽極酸化皮膜形成(ステップS4)の前でも良いが、後にすると、漏れ電流発生をより効果的に防止できる。
請求項（抜粋）：
弁作用金属の粉末成形体或いは箔に弁作用金属線を陽極リードとして植立して成る拡面化された陽極体を形成する工程と、その陽極体表面に誘電体層となる酸化皮膜を形成する工程と、前記誘電体酸化皮膜上に導電性高分子化合物から成る固体電解質層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法において、前記導電性高分子化合物層の前記陽極リードへの這い上りを防止するために、前記固体電解質層形成に先立って、前記陽極体の陽極リード植立面及び前記陽極リードの植立根元部分に溌水性樹脂からなる這い上り防止材を配設する工程を備えることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 9/24 C
, H01G 9/05 P
