特許

J-GLOBAL ID：200903050565586656

金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法

発明者： 原 茂太 ,  平井 信充
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-315048
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144500
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：

【要約】【課題】 実用上必要な広さを有する電子レベルでの平坦化が可能な電気化学的方法による金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法を提供する。【解決手段】 金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法であって、(a)金属基板をイオン性溶液中にセットする工程と、(b)前記金属基板の電位を酸化電位以上の電位と還元電位以下の電位の間を一定の電位操作速度で所定回数繰り返し掃引する工程と、(c)前記酸化電位以下で、この酸化電位に近い電位で所定時間処理する工程と、(d)上記(b)及び(c)工程を複数回繰り返し行う工程とを施すようにしたものである。

請求項（抜粋）：

金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法であって、(a)金属基板をイオン性溶液中にセットする工程と、(b)前記金属基板の電位を酸化電位以上の電位と還元電位以下の電位の間を一定の電位操作速度で所定回数繰り返し掃引する工程と、(c)前記酸化電位以下で、該酸化電位に近い電位で所定時間処理する工程と、(d)上記(b)及び(c)工程を複数回繰り返し行う工程とを施す金属基板表面における原子スケールの平坦面の形成方法。

IPC (4件)：

C25F 3/00 ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25F 3/16

FI (5件)：

C25F 3/00 Z ,  C25D 5/18 ,  C25D 7/12 ,  C25F 3/16 B ,  C25F 3/16 Z

Fターム (10件)：

4K024AA10 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AB01 ,  4K024AB19 ,  4K024BA01 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024CA07 ,  4K024GA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 局所エッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-198080   出願人：工業技術院長
• 電流反転電解法による薄膜回路製造方法ならびにそれを用いた薄膜回路基板、薄膜多層回路基板および電子回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-125945   出願人：株式会社日立製作所
• シリコンのエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-173467   出願人：新技術事業団, 鍛示和利, 作原寿彦
• 特開平2-097700