特許
J-GLOBAL ID：200903050574861236

プラズマ処理装置

発明者：
長田 智明

長田 智明 について

, 
野崎 芳和

野崎 芳和 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 保立 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-330075
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165460
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】プラズマ密度の不均一化や電力損失を防止しつつプラズマを閉じ込めを行うことを可能にする。【解決手段】処理チャンバー1内のプラズマ形成領域にガス導入系2がガスを導入し、プラズマ形成手段3がエネルギーを与えてプラズマPを形成する。基板ホルダー4上に保持された基板9がプラズマPによって処理される。プラズマ形成領域以外の場所にプラズマPが拡散するのを規制するプラズマシールド72は、プラズマ形成領域を取り囲む筒状であってプラズマPに接する表面は絶縁体である。プラズマシールド72が有する開口720を通してプラズマPが拡散しないよう、開口720に向かって拡散する電子が流れ込むようにして拡散防止用電極8が設けられている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
排気系を備えた処理チャンバーと、処理チャンバー内に設定されたプラズマ形成領域に所定のガスを導入するガス導入系と、導入されたガスにエネルギーを与えてプラズマ形成領域にプラズマを形成するプラズマ形成手段と、形成されたプラズマによって処理される処理チャンバー内の位置に基板を保持する基板ホルダーとを備えたプラズマ処理装置であって、 プラズマ形成領域以外の場所にプラズマが拡散するのを規制するプラズマシールドが設けられており、 プラズマシールドはプラズマ形成領域を取り囲む筒状であってプラズマに接する表面は絶縁体となっており、 プラズマシールドは少なくとも一つの開口を有し、この開口を通してプラズマが拡散しないようこの開口に向かって拡散する電子又はこの開口を通して拡散した電子が流れ込むようにして設けられた拡散防止用電極を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L21/3065 ,  B01J19/08 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46
FI (4件)：
H01L21/302 101B ,  B01J19/08 E ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M
Fターム (51件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA62 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  4G075EC25 ,  4G075FB03 ,  4G075FB20 ,  4G075FC15 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA03 ,  4K030KA12 ,  4K030KA14 ,  4K030KA30 ,  5F004AA01 ,  5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BB30 ,  5F004BD01 ,  5F004BD04 ,  5F004CA04 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH06 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ03 ,  5F045EJ09 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-142188   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-070422   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (1件)
  • プラズマ処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-142188   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社

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