特許

J-GLOBAL ID：200903050589916665

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 西ケ谷 啓太
出願人/特許権者： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-328900
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152392
出願日： 2007年12月20日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】 活性領域の表層部を熱酸化したときに、活性領域の縁に酸化膜の薄い部分が発生することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の表層部に、該半導体基板の表面よりも上方に突出した素子分離絶縁膜を形成することにより活性領域を画定する。活性領域の表面のうち、素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、半導体基板の表層部に、半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する。この元素の注入後、活性領域の表面を熱酸化することにより、第1の酸化膜を形成する。【選択図】 図3-3

請求項（抜粋）：

半導体基板の表層部に、該半導体基板の表面よりも上方に突出した素子分離絶縁膜を形成することにより活性領域を画定する工程と、 前記活性領域の表面のうち、前記素子分離絶縁膜に接する一部の領域が、該素子分離絶縁膜の突出部の陰になる条件で、前記半導体基板の表層部に、前記半導体基板の表層部の酸化速度を低下させる元素を斜め方向から注入する工程と、 前記元素の注入後、前記活性領域の表面を熱酸化することにより、第1の酸化膜を形成する工程と を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L21/76 L ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301R

Fターム (55件)：

5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA46 ,  5F032AA54 ,  5F032AA77 ,  5F032BA05 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA43 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74 ,  5F032DA77 ,  5F140AA16 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BB02 ,  5F140BB06 ,  5F140BB16 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BD18 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG34 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-022711   出願人：ソニー株式会社