特許

J-GLOBAL ID：200903050590683755

貫通型EMIフィルタ付き半導体デバイス

発明者： 秋野 直治 ,  赤地 義昭 ,  今野 忠重
出願人/特許権者： 株式会社環境電磁技術研究所 ,  ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 村井 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286659
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100724
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 ICが発生源となるEMIの抑制効果を高めることが可能で、特に、コスト・パーフォーマンスの高い貫通型EMIフィルタ付き半導体デバイスを提供する。【解決手段】 電源層22、グラウンド層23、信号層及び外部電源電極25、外部グラウンド電極26を有しかつデカップリングコンデンサを設けた多層基板21と、該多層基板21に搭載されるICチップ30と、内側電極52及び外側電極53を持っていて前記多層基板21に形成された穴部27に配される筒状複合磁性体51とを備え、前記内側電極52を前記多層基板側の外部電源電極25と前記電源層22との間に接続するとともに、前記外側電極53を前記グラウンド層23に接続した構成である。

請求項（抜粋）：

電源層、グラウンド層、信号層及び外部電極を有しかつデカップリングコンデンサを設けた多層基板と、該多層基板に搭載されるICチップと、内側電極及び外側電極を持っていて前記多層基板に形成された穴部に配される筒状複合磁性体とを備え、前記内側電極を前記多層基板側の外部電極と前記電源層又は前記信号層との間に接続するとともに、前記外側電極を前記グラウンド層に接続したことを特徴とする貫通型EMIフィルタ付き半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 25/00 ,  H01F 17/06 ,  H01L 23/12 ,  H05K 9/00

FI (5件)：

H01L 25/00 B ,  H01F 17/06 F ,  H05K 9/00 Q ,  H01L 23/12 E ,  H01L 23/12 B

Fターム (11件)：

5E070AA19 ,  5E070AB01 ,  5E070BA07 ,  5E070DA17 ,  5E070DB02 ,  5E321AA02 ,  5E321AA17 ,  5E321AA22 ,  5E321AA32 ,  5E321BB23 ,  5E321GG05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜多層基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-245725   出願人：沖電気工業株式会社
• 混成集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-116697   出願人：アキタ電子株式会社
• 貫通形EMIフィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-090713   出願人：株式会社環境電磁技術研究所, ティーディーケイ株式会社