特許
J-GLOBAL ID：200903050595228797
III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶および基板および半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-059231
公開番号（公開出願番号）：特開2005-247625
出願日： 2004年03月03日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 転位密度の低い高品質なIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面(例えば(0001)面)以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
少なくともアルカリ金属とIII族金属と窒素が溶解した融液からIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長方法において、特定の結晶面以外の結晶面を成長面として形成しながら結晶成長することを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
4G077AA02
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077CD05
, 4G077ED01
, 4G077HA06
, 4G077LA01
, 4G077MB12
