III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-018507
公開番号（公開出願番号）：特開2003-292400
出願日： 2003年01月28日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】結晶成長条件と結晶形態、結晶成長の有無の関係を明らかにし、実用的な結晶成長条件でのIII族窒化物の結晶成長を可能とする。【解決手段】領域Aは、GaN結晶が成長しない領域である。また、領域Bは、種結晶のみにGaN結晶が支配的に結晶成長する領域である。また、領域Cは、柱状のGaN結晶が支配的に結晶成長する領域である。また、領域Dは、板状のGaN結晶が支配的に結晶成長する領域である。なお、ここでいう支配的とは、大部分がその形態で結晶成長している状態をいう。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、圧力と温度とで規定される領域に対応する結晶成長条件で、III族窒化物の結晶を成長させることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , C30B 9/00 , H01S 5/343 610

FI (3件)：

C30B 29/38 D , C30B 9/00 , H01S 5/343 610

Fターム (19件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077EA02 , 4G077EA03 , 4G077EA06 , 4G077EG30 , 4G077EH10 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA32 , 5F073EA24 , 5F073EA28

引用文献：

審査官引用 (3件)

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