特許

J-GLOBAL ID：200903050601006203

縦形MOSトランジスタ

発明者： 原田 博文
出願人/特許権者： セイコーインスツル株式会社
代理人 (1件)： 松下 義治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180111
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019558
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】高信頼性を実現する縦形MOSトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】幅と深さの異なる2種類のトレンチを製造工程増なく同一基板上に形成し、幅が狭く浅いトレンチをメインに駆動するトランジスタに使用し、幅が広く深いトレンチを長期信頼性劣化対策用に使い分ける。ドレイン-ソース間破壊を後者で発生させることにより長期的に特性劣化が生じないようにする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高濃度ドレイン領域となる第1の導電型の半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された、低濃度ドレイン領域となる第1の導電型のエピタキシャル成長層と、 前記エピタキシャル成長層上に形成された第2の導電型のボディ領域と、 前記第2の導電型のボディ領域上の一部の表面に形成された第2の導電型の高濃度ボディコンタクト領域と、 前記第2の導電型のボディ領域上であって、前記高濃度ボディコンタクト領域以外の表面に形成された第1の導電型の高濃度ソース領域と 前記第2の導電型のボディ領域及び前記第1の導電型のソース領域を貫通し、前記第1導電型のエピタキシャル成長層の内部に達する深さまで形成された所定の幅を有する第1のシリコントレンチと、 前記第1のシリコントレンチと異なる幅を有する第2のシリコントレンチと、 前記シリコントレンチの壁面及び底面に沿って形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜に囲まれるように、前記トレンチ内に埋め込まれた高濃度多結晶シリコンゲートとを、備えたことを特徴とする縦形MOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

FI (7件)：

H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652S ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 657Z ,  H01L27/08 102E

Fターム (14件)：

5F048AC01 ,  5F048BA02 ,  5F048BA03 ,  5F048BB05 ,  5F048BB19 ,  5F048BC02 ,  5F048BC18 ,  5F048BC19 ,  5F048BD06 ,  5F048BD07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048CB06 ,  5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-082692   出願人：トヨタ自動車株式会社