特許

J-GLOBAL ID：200903050602183770

マイクロストリップ線路の結合構造

発明者： 佐藤 昭典
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-333359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172303
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】従来のマイクロストリップ線路の結合構造では、低周波または高周波のいずれかにおいて伝送損失が大きくなるという問題があった。【解決手段】導体層からなるグランド層1と、グランド層1の一方の面に第1の誘電体層2を介して形成された第1のストリップ導体路3と、グランド層1の他方の面に第2の誘電体層5を介して形成された第2のストリップ導体路6とを具備し、グランド層1に第1の孔部10を形成するとともに、孔部10を挟む対向位置にストリップ導体路3、6とが平面的に重なるように配置するとともに、ストリップ導体3とストリップ導体6とを、誘電体層2、孔部10内および誘電体層5を貫通する導体線11により電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

導体層からなるグランド層と、該グランド層の一方の面に第1の誘電体層を介して形成された第1のストリップ導体路と、該グランド層の他方の面に第2の誘電体層を介して形成された第2のストリップ導体路とを具備し、該グランド層に第1の孔部を形成し、該第1の孔部を挟むように前記第1のストリップ導体路と前記第2のストリップ導体路とが平面的に重なるように配置するとともに、第1のストリップ導体と第2のストリップ導体とを、前記第1の誘電体層、第1の孔部内および第2の誘電体層を貫通する導体線により電気的に接続したことことを特徴とするマイクロストリップ線路の結合構造。

IPC (2件)：

H01P 3/08 ,  H01P 5/02 603

FI (2件)：

H01P 3/08 ,  H01P 5/02 603 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 高周波半導体装置用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-280219   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平3-129903
  
• 特開平4-341001
  
• 特開平3-196667