特許

J-GLOBAL ID：200903050609776881

薄膜半導体装置製造方法

発明者： 野口 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317431
公開番号（公開出願番号）：特開平9-139506
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体薄膜を非晶質から多結晶に転換する結晶化アニールを効率化する。【解決手段】 先ず成膜工程を行ない、ゲート絶縁膜2を間にして互いに反対側に重ねられた非晶質性の半導体薄膜3及び金属性のゲート電極4からなる薄膜トランジスタの基本構造を透明基板1上に形成する。次に加熱工程を行ない、ゲート電極4側から熱線5を照射して金属性のゲート電極4に吸収させ、ゲート絶縁膜2を介してゲート電極4に対向する半導体薄膜3の領域を局部的且つ集中的に補助加熱する。この加熱工程と同時に結晶化工程を行ない、ゲート電極4側と反対の半導体薄膜3側からエネルギービーム6を照射して、補助加熱された領域の半導体薄膜3を非晶質性から多結晶性に転換し薄膜トランジスタの活性層30とする。この後不純物注入工程を行ない、活性層30に隣接する半導体薄膜3の部分に不純物7を注入して薄膜トランジスタ8のソース領域S及びドレイン領域Dを形成する。

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜を間にして互いに反対側に重ねられた非晶質性の半導体薄膜及び金属性のゲート電極からなる薄膜トランジスタの基本構造を透明基板に形成する成膜工程と、ゲート電極側から熱線を照射して金属性のゲート電極に吸収させゲート絶縁膜を介して該ゲート電極に対向する半導体薄膜の領域を補助加熱する加熱工程と、該ゲート電極側と反対の半導体薄膜側からエネルギービームを照射して少なくとも該補助加熱された領域の半導体薄膜を非晶質性から多結晶性に転換し薄膜トランジスタの活性層とする結晶化工程と、該活性層に隣接する半導体薄膜の部分に不純物を注入して薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する不純物注入工程とを行なう薄膜半導体装置製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 616 L