特許
J-GLOBAL ID：200903050616219963

光メモリ素子及びそれを用いた再生方法

発明者：
石川 俊夫

石川 俊夫 について

, 
伴 和夫

伴 和夫 について

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太田 賢司

太田 賢司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062477
公開番号（公開出願番号）：特開平5-266478
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【構成】 光メモリ素子5における基板1と記録層3との間に、通常は再生光7に対して非透過性であるが、照射領域における中央部9が所定以上の強度を有するように制御された再生光7を照射することにより、その中央部9のみが再生光7に対して透過性を示し、再生光7の通過後は、再び非透過性に戻るという性質を有するマスク膜2が形成されている。【効果】 再生光7のビーム径よりも小さいビットを個別に読み出すことができるので、再生信号の劣下を招来することなく、高密度記録されたビットから良好な再生信号を得ることが可能となる。
請求項（抜粋）：
透光性を有する基体上に記録層が設けられ、光により情報の記録、再生、及び消去を行う光メモリ素子において、通常は再生光に対して非透過性であるが、照射領域の中央部が所定の強度以上となるように制御された再生光を照射することにより、その中央部のみが再生光に対して透過性を示し、再生光の通過後は、再び非透過性に戻るという性質を有するマスク膜が、上記基体と記録層との間に形成されていることを特徴とする光メモリ素子。
IPC (3件)：
G11B 7/00 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/24 536
引用特許：
審査官引用 (4件)
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