特許
J-GLOBAL ID：200903050630655466
太陽電池の製造方法およびその方法により製造した太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299172
公開番号（公開出願番号）：特開2004-134656
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】金属細線の基板に対する接着強度を向上させ、光電変換効率を向上させる高アスペクト比の電極を有する太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法は、半導体基板にpn接合を形成する工程と、半導体基板表面に電極を形成する工程とを有し、半導体基板表面に電極を形成する工程が、細線の周囲を導電性材料で被覆する工程と、被覆した細線を半導体基板表面に配置する工程と、配置した細線を焼成する工程とを有することを特徴とする。また、本発明の太陽電池は、かかる方法により製造されることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板にpn接合を形成する工程と、半導体基板表面に電極を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法において、半導体基板表面に電極を形成する前記工程が、細線の周囲を導電性材料で被覆する工程と、被覆した前記細線を半導体基板表面に配置する工程と、配置した前記細線を焼成する工程とを有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F051AA01
, 5F051BA18
, 5F051CB20
, 5F051CB27
, 5F051DA03
, 5F051FA06
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA16
, 5F051HA03
