特許
J-GLOBAL ID：200903038022386282
太陽電池及び太陽電池モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-370085
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176186
出願日： 2000年12月05日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：
【要約】【課題】 n層中のシリコンと表銀電極の反応を十分安定した状態で行うことができ、電気的特性及び寿命を向上させることができる。【解決手段】 太陽電池若しくは太陽電池モジュールを、n層3のシート抵抗を80Ω/□以下とし、かつ、表銀電極10によるn層3を侵食する深さを5nm以上40nm以下の範囲として構成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のシリコン基板と、前記第1導電型のシリコン基板の受光面に形成された第2導電型の半導体層と、前記第2導電型の半導体層を侵食して前記第2導電型の半導体層と接触するように形成された金属電極とを有する太陽電池において、前記第2導電型の半導体層のシート抵抗を80Ω/□以下とし、かつ、前記金属電極による前記第2導電型の半導体層を侵食する深さを5nm以上40nm以下の範囲とすることを特徴とする太陽電池。
Fターム (10件)：
5F051AA03
, 5F051BA17
, 5F051CB27
, 5F051CB29
, 5F051FA10
, 5F051FA13
, 5F051FA30
, 5F051GA04
, 5F051HA03
, 5F051HA07
