特許
J-GLOBAL ID：200903050633602215
多層配線基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-048678
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252625
出願日： 1999年02月25日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】【課題】 絶縁層に採用するポリイミド樹脂の特性を失わずに、配線層に銅を採用して、集積性が高く、コストが低廉で、しかも、高性能な多層配線基板を提供する。【解決手段】 工程を順次説明する。1.配線基板上にクロムスパッタ膜4を形成した後、フォトレジスト5を塗布し、露光装置によって配線パターンを形成する。2.配線パターン上に電解メッキによって銅メッキ層2を形成した後、フォトレジスト5を除去する。3.クロムスパッタ膜4上にフォトレジスト5を塗布し、銅メッキ層2よりも幅の広い寸法で露光する。4.電解メッキによって銅メッキ層2を覆うようにニッケルメッキ層3を形成した後、フォトレジスト5を除去する。5.銅メッキ層2とニッケルメッキ層3とがそれぞれ形成された部分以外のクロムスパッタ膜4をミリングによって除去する。6.ニッケルメッキ層3上にポリイミド樹脂層1を積層する。以下同一の方法を繰り返す。
請求項（抜粋）：
配線基板を次の1〜6の工程によって順次製造し、1.配線基板上に第1のスパッタ膜を形成した後、第1のレジストを塗布し、露光装置によって配線ターンを形成すること。2.前記配線パターン上に電解メッキによって銅メッキ層を形成した後、前記第1のレジストを除去すること。3.前記第1のスパッタ膜上に第2のレジストを塗布し、前記銅メッキ層よりも幅の広い寸法で露光すること。4.電解メッキによって前記銅メッキ層を覆うようにニッケルメッキ層を形成した後、前記第2のレジストを除去すること。5.前記銅メッキ層と前記ニッケルメッキ層とがそれぞれ形成された部分以外の前記第1のスパッタ膜をミリングによって除去すること。6.前記ニッケルメッキ層上にポリイミド樹脂層を積層すること。前記ポリイミド樹脂層上に第2のスパッタ膜を形成し、以下繰り返すことによって構成することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
FI (3件)：
H05K 3/46 B
, H05K 3/46 E
, H05K 3/46 S
5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC37
, 5E346DD17
, 5E346DD24
, 5E346DD44
, 5E346DD48
, 5E346GG17
, 5E346GG18
, 5E346HH25
