光起電力素子の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253210
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153633
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】界面準位に起因する光劣化が減少し、半導体層間の剥離が防止でき、かつ、耐逆バイアス性が高い光起電力素子の形成方法を提供する。【解決手段】本発明の光起電力素子の形成方法は、シリコン原子を含有し、かつ、結晶構造が非単結晶であるn型、i型、及び、p型の半導体層を積層してなるpin構造体が、基板上に、少なくとも1回以上繰り返し配設された光起電力素子の形成方法において、前記半導体層の各表面のうち少なくとも1つの表面が、ほう素原子含有ガスを1〜1000ppm含有し、酸素原子含有ガスを1〜1000ppm含有した水素ガス、ヘリウムガス、又はアルゴンガスの雰囲気中でアニーリング処理、かつ、該アニーリング雰囲気に100〜3000Gの磁場を印加することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコン原子を含有し、かつ、結晶構造が非単結晶であるn型、i型、及びp型の半導体層を積層してなるpin構造体が、基体上に、少なくとも1回以上繰り返し配設された光起電力素子の形成方法において、前記半導体層の各表面のうち少なくとも1つの表面が、ホウ素原子含有ガスを1〜1000ppm含有し、酸素原子含有ガスを1〜1000ppm含有した水素ガス、ヘリウムガス、又はアルゴンガスの雰囲気中でアニーリング処理、かつ、該アニーリング雰囲気に100〜3000Gの磁場を印加することを特徴とする光起電力素子の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , H01L 21/31 , H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 31/04 M , H01L 21/31 B , H01L 21/324 Z , H01L 31/04 W , H01L 31/04 T

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭57-109385
特開平4-321277
特表平5-504235

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