ポリッシング方法、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置。

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110576
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199455
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】ポリッシングレートの大きい新規な材料からなる研磨剤を用いたポリッシング方法及びCMPにより半導体基板の被ポリッシング膜を平坦化する半導体装置の製造方法及びこの方法に用いられる半導体製造装置を提供する。【解決手段】ポリッシングは、窒化珪素、炭化珪素及び炭素(グラファイト)から選択された1つの材料からなる研磨粒子を分散させた研磨剤を用いて行う。又この研磨剤はCMPに適用して半導体基板上の被ポリッシング材をポリッシングする。又半導体基板に研磨剤と同じ材料のストッパー膜を形成し、研磨剤とストッパー膜とを同じ材料でポリッシングしてポリッシングレートを向上させる。パイプ38からの研磨剤を研磨布25の上の半導体基板の加工点に供給する際に、パイプ39からのイオン水からなる分散剤も供給する。この研磨剤と分散剤とはこの加工点で一体化させることにより研磨剤が劣化しない。

請求項（抜粋）：

窒化珪素、炭化珪素及びグラファイトから選択された1つの材料からなる研磨粒子を分散させた研磨剤を用いて被ポリッシング材をポリッシングすることを特徴とするポリッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 321 P , H01L 21/304 321 M , B24B 37/00 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-039835
特開平4-089835
特開昭64-075593

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