特許
J-GLOBAL ID：200903050689239148
スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-003211
公開番号（公開出願番号）：特開2003-201559
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【解決手段】 パルスDCスパッタリング(周波数25〜250kHz)により位相シフトマスクブランクの位相シフト膜を形成するためのスパッタターゲットであって、窒化ケイ素を主成分とし、遷移金属を0.01〜5%(原子比)含有し、比抵抗が10Ωcm以下であることを特徴とするスパッタターゲット。【効果】 位相シフト膜をスッパタリング法で製造する際、スパッタターゲットとして窒化ケイ素を主成分とし、微量の遷移金属を添加したスパッタターゲットを用いることにより、パルスDCスパッタリングの適用が可能となり、上記スパッタターゲットを用い、パルスDCスパッタリングにて位相シフト膜を成膜することで、低欠陥、高スループットであるだけでなく、従来に比べて膜応力の小さい位相シフト膜を形成でき、高精度な位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを提供することができる。
請求項（抜粋）：
パルスDCスパッタリング(周波数25〜250kHz)により位相シフトマスクブランクの位相シフト膜を形成するためのスパッタターゲットであって、窒化ケイ素を主成分とし、遷移金属を0.01〜5%(原子比)含有し、比抵抗が10Ωcm以下であることを特徴とするスパッタターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 A
, G03F 1/08 A
2H095BA01
, 2H095BB03
, 2H095BB25
, 2H095BB31
, 2H095BC05
, 2H095BC08
, 4K029BA58
, 4K029BB00
, 4K029BC00
, 4K029BC03
, 4K029BD01
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029DC34
