シリコン単結晶の育成方法及びその装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-229152
公開番号（公開出願番号）：特開平10-072277
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】シリコン単結晶中の長さ方向の酸素濃度を均一にすることができる。【解決手段】チャンバ11内の石英るつぼ13に貯留されたシリコン融液12からシリコン単結晶25が引上げられ、シリコン単結晶の外周面と石英るつぼの内周面との間にシリコン単結晶を囲むように遮蔽部材26が挿入される。この遮蔽部材の下端はシリコン融液表面近傍まで延び、遮蔽部材によりチャンバ内がシリコン単結晶側とるつぼ内周面側とに区画される。ガス給排手段28によりシリコン単結晶側に供給された不活性ガスがシリコン融液表面に沿って流れ、チャンバ外に排出パイプ30を介して排出される。遮蔽部材に通孔26dが形成され、シリコン単結晶側に供給された不活性ガスの一部が上記通孔を通ることにより不活性ガスの一部がシリコン融液表面を介さずに排出パイプに導かれる。通孔の開口率は開口率調整手段33により調整される。

請求項（抜粋）：

チャンバ(11)内の圧力を変化させずに、前記チャンバ(11)内の石英るつぼ(13)に貯留されたシリコン融液(12)表面を通過する不活性ガスの流量と、前記シリコン融液(12)表面以外のバイパス部(26d,71)を通過する不活性ガスの流量との割合を、前記シリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶(25)の引上げ長さに応じて変えることにより、前記シリコン融液(12)表面を通過する不活性ガスの流速を制御するシリコン単結晶の育成方法。

IPC (4件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , C30B 29/06 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/20 , C30B 29/06 502 H , C30B 29/06 502 K , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平1-100087
単結晶の引上装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-012668 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社

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