半導体ウェハのダイシング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：田下明人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-048611
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227768
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】製品の歩留まりや品質を向上し得る半導体ウェハのダイシング方法を提供する。【解決手段】外周端Egではレーザ出力を最小Pminに設定し、境界部Rmaxではレーザ出力を最大Pmaxに設定する。この外周端Egから境界部Rmaxまでの間は、外周端Egから境界部Rmaxに向かう位置との関係においては、Pmin〜Pmaxの間で比例関数相当で直線形状に増加するようにレーザ出力を設定し、また境界部Rmaxから外周端Egに向かう位置との関係においては、Pmax〜Pminの間で比例関数相当で直線形状に減少するようにレーザ出力を設定する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

外周端部が面取り加工された半導体ウェハにレーザ光を照射して改質層を形成し、この改質層による割断によって当該半導体ウェハをレーザダイシングする半導体ウェハのダイシング方法において、前記面取り加工された外周端部を含んだ所定範囲には、当該所定範囲外で前記面取り加工されていない平坦部に照射されるレーザ光の強度よりも弱く設定されたレーザ光が照射されることを特徴とする半導体ウェハのダイシング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/301 , B23K 26/00 , B23K 26/38 , B23K 26/40

FI (5件)：

H01L21/78 B , B23K26/00 D , B23K26/38 320 , B23K26/40 , B23K26/00 N

Fターム (4件)：

4E068AD01 , 4E068AE01 , 4E068CA02 , 4E068DA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

レーザ加工装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-278707 出願人：浜松ホトニクス株式会社
レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-099258 出願人：浜松ホトニクス株式会社

審査官引用 (1件)

レーザ加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-082737 出願人：浜松ホトニクス株式会社

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