特許
J-GLOBAL ID：200903050810962960
GaN系化合物半導体受光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-041217
公開番号（公開出願番号）：特開2005-235910
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 低貫通転位の窒化物半導体基板層上に、高品質のAlGaNを主とする受光層を形成することで、火炎センサとして使用可能な高性能なGaN系化合物半導体受光素子を提供する。【解決手段】 一または複数の窒化物半導体層からなる下部半導体層10と、下部半導体層10上に形成された下部半導体層10中の最大格子間隔より格子間隔の狭いGaN系化合物半導体からなる上部半導体層16,17と、上部半導体層16,17上に、或いは、上部半導体層の表面層17を含む上方に形成されたAlGaNを主とする受光層20と、を備えてなり、第1層目の上部半導体層16をSiを不純物として添加して成長させた後、第2層目の上部半導体層17を前記不純物の添加を行わずに成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
一または複数の窒化物半導体層からなる下部半導体層と、
前記下部半導体層上に形成された前記下部半導体層中の最大格子間隔より格子間隔の狭いGaN系化合物半導体からなる上部半導体層と、
前記上部半導体層上に、或いは、前記上部半導体層の表面層を含む上方に形成されたAlGaNを主とする受光層と、を備えてなり、
前記上部半導体層は、Siを不純物として添加して成長させた後、前記不純物の添加を行わずに成長させて形成されることを特徴とするGaN系化合物半導体受光素子。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L31/10 A
, G01J1/02 B
, G01J1/02 G
, G01J1/02 J
2G065AA04
, 2G065AB05
, 2G065BA09
, 5F049MA04
, 5F049MB07
, 5F049NA10
, 5F049NB10
, 5F049PA04
, 5F049PA14
, 5F049PA15
, 5F049SE02
, 5F049SE05
, 5F049SS01
