特許

J-GLOBAL ID：200903050814887971

結晶性半導体薄膜の製造方法、結晶性半導体薄膜および薄膜太陽電池

発明者： 和田 健司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201649
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026347
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 アモルファス半導体薄膜を熱処理して結晶性半導体薄膜を得る工程において、生成するシリコン結晶の方位、形状などを容易に制御する。【解決手段】 表面がAg層12から成る石英基板11を用い、その上に形成したアモルファスシリコン薄膜に、高周波電界を作用させながら熱処理することにより、石英基板11表面に垂直な方向に成長した柱状結晶粒のシリコン層13を得る。

請求項（抜粋）：

表面が導電性材料からなる基板上に、アモルファス半導体薄膜を形成する工程と、次いで、該アモルファス半導体薄膜に高周波を作用させつつ熱処理する工程を包含する結晶性半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X

Fターム (22件)：

5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AF10 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DA65 ,  5F045EH03 ,  5F045HA16 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA16 ,  5F051CA34 ,  5F051CB12 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多結晶半導体膜、光電変換素子及びこれらの製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-256842   出願人：昭和電工株式会社, 松村正清
• 半導体の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-145350   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所