半導体の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145350
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316143
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】非晶質珪素膜をガラス基板が耐えるような温度での工程ですむような工程を提供する。【構成】ガラス基板上に気相法で形成された非晶質珪素膜に対して、マイクロ波の照射による加熱を行い、結晶性珪素膜を得る。この際、非晶質珪素膜に接して珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を形成する工程と、該工程の前また後において、前記非晶質珪素膜の裏面または表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持させる工程と、前記非晶質珪素膜に対してマイクロ波を照射し、表皮効果により前記非晶質珪素膜の表面を選択的に加熱し結晶性珪素膜に変成する工程と、を有することを特徴とする半導体の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-197513 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭62-035624
特開昭61-043425

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