半導体ウェハ加熱装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103129
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314694
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【構成】単結晶サファイア製の板状体1に発熱抵抗体2を備え、該板状体1の表面に半導体ウェハ6の載置面1aを形成して半導体ウェハ加熱用ヒータを構成する。【効果】漏れ電流が極めて小さく、機械的強度に優れ、高い均熱性を得られ、半導体ウェハ6を汚染しにくい。

請求項（抜粋）：