特許
J-GLOBAL ID:200903050853675558

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-209768
公開番号(公開出願番号):特開2000-040774
出願日: 1998年07月24日
公開日(公表日): 2000年02月08日
要約:
【要約】【課題】 樹脂製被覆材と絶縁基体との間に剥離が発生し、半導体素子の気密封止が破れて半導体素子を長期間にわたり安定に作動させることができない。【解決手段】 上面に半導体素子3が搭載される搭載部1aを有するとともに半導体素子3の各電極を外部電気回路に電気的に接続するための複数個の配線導体2が被着された四角形状の絶縁基体1と、搭載部1aに搭載され、各電極が配線導体2に電気的に接続された半導体素子3と、半導体素子3および絶縁基体1上面を被覆し、半導体素子3を気密に封止する樹脂製被覆材4とから成る半導体装置であって、絶縁基体1は上面の少なくとも4隅に凹部1bが形成されている。絶縁基体1の4隅で発生した絶縁基体1と樹脂製被覆材4との間の剥離の進行が凹部1bで有効に阻止される。
請求項(抜粋):
上面に半導体素子が搭載される搭載部を有するとともに前記半導体素子の各電極を外部電気回路に電気的に接続するための複数個の配線導体が被着された四角形状の絶縁基体と、前記搭載部に搭載され、各電極が前記配線導体に電気的に接続された半導体素子と、該半導体素子および前記絶縁基体上面を被覆し、前記半導体素子を気密に封止する樹脂製被覆材とから成る半導体装置であって、前記絶縁基体は上面の少なくとも4隅に凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/28 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L 23/28 Z ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (6件):
4M105AA04 ,  4M105GG17 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DB16
引用特許:
審査官引用 (3件)

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