バンプ付き半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-128978
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326522
出願日： 1992年05月21日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】バンプ形状を逆テーパー型にすることにより、基板同士の接続部分の電極面積をバンプ形成面として最大限有効に使い、放熱効果を上げる。【構成】半導体基板1上の電極のバンプ形成部分2に対応した部分を露出させるように絶縁膜3を形成し、露出したバンプ形成部を覆って半導体基板全体にメッキ用導電金属層4を形成したあと、バンプパターン用のフォトレジスト層5を形成する。このフォトレジストを多重露光により露光、現像を行うことにより逆テーパー型バンプのパターン6を形成し、パターンに沿ってメッキによりバンプ7を形成した後、フォトレジスト層、メッキ用導電金属層を除去することにより逆テーパー型バンプ7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられたバンプ付き半導体装置において、バンプの形状が下部の面積より頭頂部の面積が大きく、かつ、逆テ-パ-型であることを特徴とするバンプ付き半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/92 C , H01L 21/92 F

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-324681
特開平3-185731
特開平2-098951

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