特許
J-GLOBAL ID：200903050904856340
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-341692
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186363
出願日： 1995年12月27日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、InAlGaN層上にそれよりも成長温度が高いGaN層を積層したヘテロ構造の形成において、InAlGaN層の組成や膜厚などの特性を安定に積層することができ、かつInAlGaN層を活性層とした半導体発光素子及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、InAlGaN層上にその成長温度よりも高い成長温度のGaN層を積層する際に、InAlGaN層の直上に再昇温保護GaN層を設けることにより、InAlGaN層の結晶特性を変化させずにInAlGaN層上にその成長温度よりも高い成長温度のGaN層を積層することができるように構成される。
請求項（抜粋）：
基板上に組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-X-Y </SB>N(0≦X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された複数の層を順次積層して成る半導体発光素子であって、少なくとも、組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-X-Y </SB>N(0<X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された第1の層上に組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-</SB><SB>X-Y </SB>N(0≦X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された第2の層が積層されている半導体発光素子において、前記第1の層と前記第2の層の間には、組成式In<SB>X </SB>Al<SB>Y </SB>Ga<SB>1-X-Y </SB>N(0≦X≦1,0≦Y≦1)で表される材料で構成された第3の層を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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