特許
J-GLOBAL ID：200903050907106465
強磁性トンネル結合素子、磁気センサ及び磁気記憶システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-240670
公開番号（公開出願番号）：特開2000-076623
出願日： 1998年08月26日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】強磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗効果化素子において、十分なMR比と抵抗変化率とを両立できるようにすること。【解決手段】自由磁性層/非磁性層/固定磁性層/固定させる層、または、固定させる層/固定磁性層/非磁性層/自由磁性層を基本構成とするトンネル接合素子において、固定させる層にPtMn合金をベースとする合金を用いる。十分なMR比と高い抵抗変化率とを両立させて得ることができる。
請求項（抜粋）：
【請求項1】自由磁性層と、前記自由磁性層の一面側に形成される非磁性層と、前記非磁性層の一面側に形成される固定磁性層と、前記固定磁性層の一面側に形成される固定させる層とからなり、前記非磁性層は前記自由磁性層と前記固定磁性層との間に配置され、前記固定磁性層は、前記非磁性層と前記固定させる層との間に配置され、前記非磁性層は非導電性であり、前記固定させる層はPtMn合金をベースとする合金で形成されている強磁性トンネル結合素子。
Fターム (4件)：
5D034BA05
, 5D034BA15
, 5D034BB08
, 5D034CA08
