特許
J-GLOBAL ID：200903006314424658
スピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-120504
公開番号（公開出願番号）：特開平11-316919
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】スピントンネル磁気抵抗効果(TMR)を用いる再生用ヘッドであって、抵抗変化率の検出効率が高く、実用化可能なヘッド構造を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果膜20と、磁気抵抗効果膜20の膜厚方向に電流を流すために、磁気抵抗効果膜20を挟む一対の電極膜5、8とを有する。磁気抵抗効果膜20は、順に重ねられた、自由層3と、絶縁層1と、固定層2と、反強磁性層4とを備える。また、磁気抵抗効果膜20の両脇には、自由層3の磁区を制御するために、自由層3にバイアスをかける一対の磁区制御膜7を配置する。このとき、磁区制御膜7を、固定層2と接触しない位置に配置することにより、電極膜5、8から磁気抵抗効果膜20の膜厚方向に流れる電流が、磁区制御膜7を通ってリークすることを防止する。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流すために、前記磁気抵抗効果膜を挟む一対の電極膜とを有し、前記磁気抵抗効果膜は、順に重ねられた、強磁性層を含む自由層と、絶縁層と、強磁性層を含む固定層と、前記固定層の磁化を固定する反強磁性層とを備え、前記磁気抵抗効果膜の両脇には、前記自由層の磁区を制御するために、前記自由層にバイアスをかける一対の磁区制御膜が配置され、前記磁区制御膜は、前記固定層と接触しない位置に配置されていることを特徴とするスピントンネル磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
