特許
J-GLOBAL ID：200903050908094363
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-174167
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026654
出願日： 1997年06月30日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】新規な構成にて容易に熱応力による不具合を解消することができる樹脂封止型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】回路基板2の上にICチップ5やクォドフラットパッケージ(QFP)が表面実装され、ICチップ5やクォドフラットパッケージ(QFP)の全体がポッティング材11にて覆われている。ポッティング材11は母材としてシリコーンゲル12が用いられ、このシリコーンゲル12の中に微小な気泡13が散在されている。製造の際には、回路基板2の上にICチップ5やクォドフラットパッケージ(QFP)を実装した後、硬化前の液状シリコーンゲルに中空球フィラーを混入させた溶液を注入し、その後に、硬化処理を施す。
請求項（抜粋）：
回路基板と、前記回路基板の上に配置された表面実装部品と、前記表面実装部品の全体を覆うポッティング材とを備えた樹脂封止型半導体装置において、前記ポッティング材の中に微小な気泡を散在したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 21/56
H01L 23/30 R
, H01L 21/56 E
