高品質化合物半導体材料を製造するための成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大渕美千栄 , 布施行夫 , 伊奈達也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-518683
公開番号（公開出願番号）：特表2008-504443
出願日： 2005年06月27日
公開日（公表日）： 2008年02月14日
要約：

特定のハイドライド気相エピタキシー方法を利用することによって成膜層を有利に得る。この方法では、III-V族及びVI族化合物半導体の成膜に、延長拡散層と、均一化隔壁と、側壁パージガスと、独立したガス及び基板加熱装置を有する縦型成長セル構造を使用する。ガス流は延長拡散層内で均一に混合し、基板の表面全体に接触するように供給し、それによって高品質かつ均一な膜を形成する。そのようなガス流構成の例としては、基板をガス出口から離れて配置し、基板の上方に近接して配置された延長拡散層と隔壁によって対流作用の影響を最小化させ、均一性を向上させることが挙げられる。このような対称的な構成によって、シングルウエハ装置からマルチウエハ装置に容易に大規模化することができる。この縦型構成により、異なる反応性ガス前駆体を迅速に切り替えることができ、成膜材料の欠陥密度をさらに最小化するために時間変調成長及びエッチング法を採用することができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

材料層を基板の表面に形成するための化学気相成長方法であって、延長拡散層と、均一化隔壁と、独立した側壁ガス加熱装置及び基板加熱装置と、円筒状の側壁ガスパージラインと、円筒状の側壁ガス出口スリットとを有する円筒状の縦型ハイドライド気相エピタキシー(HVPE)成長反応器を使用することを含む方法。

IPC (5件)：

C23C 16/455 , C23C 16/34 , C30B 29/38 , C30B 25/14 , H01L 21/205

FI (5件)：

C23C16/455 , C23C16/34 , C30B29/38 D , C30B25/14 , H01L21/205

Fターム (70件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB04 , 4G077DB11 , 4G077EA02 , 4G077ED06 , 4G077EE03 , 4G077EG14 , 4G077EG15 , 4G077EG16 , 4G077EG22 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA08 , 4G077TA11 , 4G077TA12 , 4G077TB02 , 4G077TC01 , 4G077TC13 , 4G077TC17 , 4G077TD01 , 4G077TD03 , 4G077TE10 , 4G077TF06 , 4G077TG01 , 4G077TH01 , 4G077TH09 , 4G077TJ01 , 4G077TK01 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA04 , 4K030EA06 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030KA23 , 4K030KA25 , 4K030LA14 , 5F045AA01 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AD14 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF09 , 5F045BB02 , 5F045BB03 , 5F045DQ08 , 5F045EC02 , 5F045EC05 , 5F045EE14 , 5F045EE19 , 5F045EE20 , 5F045EF14 , 5F045EF15 , 5F045EK06

引用特許：

審査官引用 (4件)

特許第589396号
処理装置及び処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-289499 出願人：東京エレクトロン株式会社
特許第589396号

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