特許

J-GLOBAL ID：200903050911478741

High-k金属シリケートの原子層堆積

発明者： リー サン イン ,  千崎 佳秀 ,  リー サン キョウ
出願人/特許権者： アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド ,  インテグレイテッド プロセス システムズ リミテッド
代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-529512
公開番号（公開出願番号）：特表2005-536064
出願日： 2003年08月18日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：

本発明は、ハフニウムシリケートを含む、金属シリケートのhigh-k誘電体層の原子層堆積(「ALD」)に関する。より詳細には本発明は、有機金属前駆体、有機シリコン前駆体、及びオゾンを用いた金属シリケートのALDの形成に関する。好ましくは、有機金属前駆体は金属アルキルアミドであり、有機シリコン前駆体はシリコンアルキルアミドである。

請求項（抜粋）：

原子層を堆積することによって基板上に金属シリケート膜を成長させる方法であって、 (i)有機金属前駆体と有機シリコン前駆体とを基板を収容する反応チャンバに導入し、 (ii)前記反応チャンバをパージし、 (iii)前記反応チャンバにオゾンを導入し、 (iv)前記反応チャンバをパージし、 (v)前記基板上で目標厚さの膜が達成されるまで前記段階(i)、(ii)、(iii)、及び(iv)を繰り返す、 ことを含む方法。

IPC (1件)：

H01L21/312

FI (1件)：

H01L21/312 A

Fターム (4件)：

5F058AA07 ,  5F058AC10 ,  5F058AF01 ,  5F058AH04

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許仮出願番号第60/404,371号公報
  
• 米国特許仮出願番号第60/396,723号公報
  
• 米国特許第6,465,371号公報
  

審査官引用 (1件)

• 前駆原料混合物、膜付着方法、及び構造の形成
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-122174   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション