特許
J-GLOBAL ID:200903050930707522

半導体プロセスに使用する化学機械的研磨剤組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 有賀 三幸 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-351205
公開番号(公開出願番号):特開2000-049124
出願日: 1998年12月10日
公開日(公表日): 2000年02月18日
要約:
【要約】【解決手段】 70〜95重量%の水性媒体と1〜25重量%の研磨剤と0.1〜20重量%の研磨促進剤とを含み、該研磨促進剤がモノカルボキシ基又はアミド基を有する化合物と任意の硝酸塩とを含むことを特徴とする半導体プロセス用化学機械的研磨剤組成物。本発明の化学機械的研磨剤組成物は、ポリカルボン酸、ポリアクリル酸共重合体等の陰イオン性界面活性剤を、該研磨剤組成物の粘度を減少させるために更に含むことができる。【効果】 高い研磨性能と低い粘度を持つ。
請求項(抜粋):
70〜95重量%の水性媒体と1〜25重量%の研磨剤と0.1〜20重量%の研磨促進剤とを含み、該研磨促進剤がモノカルボキシ基又はアミド基を有する化合物を含むことを特徴とする半導体プロセス用化学機械的研磨剤組成物。
IPC (3件):
H01L 21/304 622 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14
FI (3件):
H01L 21/304 622 D ,  C09K 3/14 550 M ,  C09K 3/14 550 D
引用特許:
審査官引用 (2件)

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