特許
J-GLOBAL ID:200903050934565307

化学増幅型レジストとレジストパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-235253
公開番号(公開出願番号):特開平5-072738
出願日: 1991年09月17日
公開日(公表日): 1993年03月26日
要約:
【要約】【目的】 化学増幅型レジストに関し、基板との密着性の向上したレジストを提供することを目的とする。【構成】 酸触媒により極性が変化する官能基をもつポリマと光酸発生剤を備えて構成される化学増幅型レジストにおいて、下記の一般式で示されるメタクリル酸エステルを1〜30モル%含み、メタクリル酸tert- ブチル, メタクリル酸 1 ́,1 ́- ジメチルベンジル, メタクリル酸テトラヒドロピラニル,4-tert-ブトキシカルボニルオキシスチレンの何れか一つとからなる共重合体をポリマとして用いることを特徴として化学増幅型レジストを構成する。【化1】
請求項(抜粋):
酸触媒により極性が変化する官能基をもつポリマーと露光により酸を発生する酸発生剤を備えて構成される化学増幅型レジストにおいて、下記の一般式で示されるメタクリル酸エステルを1〜30モル%含む共重合体をポリマーとして用いることを特徴とする化学増幅型レジスト。【化1】
IPC (7件):
G03F 7/039 501 ,  G03C 1/73 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/038 505 ,  H01L 21/027
引用特許:
審査官引用 (3件)

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