単結晶製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松澤統
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-111352
公開番号（公開出願番号）：特開平11-292684
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：

【要約】【課題】引き上げ中の単結晶に急激な軸方向温度勾配を生じさせるアフタクーラを設置した単結晶製造装置において、結晶引き上げ速度を更に上げることができるようにする。【解決手段】単結晶(5)引上げ域と熱遮蔽板(1)との間に、表面の放射率を前記単結晶(5)と対向する内側及び熱遮蔽板(1)と対向する外側ともに0. 6以上としたアフタクーラ(4)を設置する。アフタクーラ(4)は冷却パイプまたは冷却ジャケットからなり、その表面に酸化または窒化処理を施して放射率を大きくする。

請求項（抜粋）：

引き上げ中の単結晶(5) 引上げ域を取り巻く熱遮蔽板(1) を備えた単結晶製造装置において、表面の放射率を前記単結晶(5) と対向する内側及び熱遮蔽板(1) と対向する外側ともに0. 6以上としたアフタクーラ(4) を単結晶(5) 引上げ域と熱遮蔽板(1) との間に設けたことを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 , H01L 21/208

FI (2件)：

C30B 15/00 Z , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-161643
特開平4-317491
特開平2-258996

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