特許

J-GLOBAL ID：200903084844604186

結晶成長装置

発明者： 藤原 秀樹 ,  藤原 俊幸 ,  稲見 修一 ,  奥井 正彦 ,  和泉 輝郎 ,  森田 洋 ,  小池 隆 ,  梶田 栄治
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-174514
公開番号（公開出願番号）：特開平8-034696
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 結晶の冷却速度を制御して良品質の結晶を成長させることが可能な結晶成長装置を提供する。【構成】 主チャンバ20の炉壁は、バフ研磨後にクロムメッキを施して輻射率を0.1以下とし、副チャンバ21の炉壁は、熱処理により酸化膜を形成して輻射率を0.8としている。主チャンバでは断熱効果が高まり主チャンバ20内温度、ひいては単結晶12の温度が上昇する。従って溶融液13から離脱した直後の単結晶12の冷却速度を低減せしめ、点欠陥及び格子間酸素の残留を抑止することができる。またこれによってヒータ2のパワーも低減せしめられ、消費電力量も低減する。副チャンバ21では輻射率が大きくなしてあるので、単結晶12からの抜熱を促進し低温時の冷却速度を上昇せしめて、OSFの発生を抑止することができる。

請求項（抜粋）：

溶融液を充填するための坩堝と、該坩堝を収納するチャンバとを備える結晶成長装置において、前記チャンバの炉壁の輻射率を、引上げ軸方向の上方を高く下方を小さくしてあることを特徴とする結晶成長装置。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体単結晶棒製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000745   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• 引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-114112   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 単結晶体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-076925   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
• シリコン単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261981   出願人：株式会社日立製作所