特許

J-GLOBAL ID：200903050992775427

SOI基板の製造方法

発明者： 中井 哲弥 ,  新行内 隆之 ,  山口 泰男 ,  西村 正
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社 ,  三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-081348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283420
出願日： 1993年03月16日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 SOI層の結晶性を改善することができるSOI基板の製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン基板1に酸素イオン2を注入する。酸素イオン2が単結晶シリコン基板1のシリコン原子と反応して、単結晶シリコン基板1内部に直接埋込SiO2層3が形成される。埋込SiO2層3の上には、注入損傷を受けた残留シリコン層4が形成される。酸素イオン注入後、残留シリコン層4上に100nm以下のSiO2膜5を形成し、1100°C、6時間、Ar雰囲気にて、熱処理を施す。この後、1300°Cの熱処理によって、単結晶シリコン基板1から埋込SiO2層3以外の析出物が取り除かれる。そして、単結晶シリコン基板1表面に、シリコン原子を再配列させた単結晶シリコン層6が形成される。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板に酸素イオン注入後、高温熱処理を施すことにより、この単結晶シリコン基板の内部に埋込SiO2層およびこの埋込SiO2層上に結晶性の回復した単結晶シリコン層をそれぞれ形成するSOI基板の製造方法において、上記酸素イオン注入後、上記高温熱処理前に、上記単結晶シリコン基板の表面にSiO2薄膜を形成する工程と、不活性ガスの雰囲気中で低温熱処理を施す工程と、を有すること特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/00 301

FI (2件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 21/265 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 高エネルギーでイオン注入し、続いて熱処理することにより製造される、深く、薄い酸化物層を備えたSOI構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136425   出願人：イスティテュートグイドドネガニソチエタペルアツィオーニ