特許

J-GLOBAL ID：200903051005866560

回路基板、回路付きサスペンション基板及びそれらの製造方法

発明者： 船田 靖人 ,  表 利彦
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 牧野 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235702
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087867
出願日： 1997年09月01日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】金属箔基材上のポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板において、ポリイミド樹脂の熱線膨張係数が金属箔基材に近接して小さく、従って、樹脂層に割れが生じたり、樹脂層が剥離したりせず、更に、反りが生じない回路基板と、それを用いる回路付きサスペンション基板を提供することにある。【解決手段】本発明による回路基板は、金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が(A)p-フェニレンジアミンと(B)(a) 3,4,3',4' -ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と(b) 2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物との反応によって得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする。本発明による回路付きサスペンション基板は、このような回路基板上に導体層からなる所要の回路をパターニング技術によって形成してなる。

請求項（抜粋）：

金属箔基材上にポリイミド樹脂からなる絶縁層を有する回路基板において、上記ポリイミド樹脂が(A)p-フェニレンジアミンと(B)(a) 3,4,3',4' -ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と(b) 2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンとからなる酸無水物との反応によって得られるポリイミド樹脂であることを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H05K 1/05 ,  H05K 3/44 ,  G11B 5/60

FI (3件)：

H05K 1/05 A ,  H05K 3/44 A ,  G11B 5/60 P

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 回路形成用基板および回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-088121   出願人：日東電工株式会社