特許

J-GLOBAL ID：200903051018255439

有機FETおよびその製造方法

発明者： 豊田 健治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261032
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080207
出願日： 2004年09月08日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

【課題】 面に垂直方向に流れる電荷移動錯体を有する薄膜を界面層に適用した有機FETを提供すること。 【解決手段】 ゲート電極1、ドレイン電極7、ソース電極8、有機半導体によって形成されている活性層3、およびゲート絶縁膜2を備えている有機FETであって 断面視において、 活性層3とドレイン電極7およびソース電極8との間に、それぞれ界面層4が挿入され、 界面層4は、アクセプター分子の領域5およびドナー分子の領域6によって構成され、 ドレイン電極7またはソース電極8からなる群から選択される少なくとも1つの電極(7・8)が、アクセプター分子の領域5およびドナー分子の領域6と接しており、 ドナー分子の領域6とアクセプター分子の領域5とが接しており、 アクセプター分子の領域5およびドナー分子の領域6は活性層3と接している。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、有機半導体によって形成されている活性層、およびゲート絶縁膜を備えている有機FETであって 断面視において、 前記活性層と前記ドレイン電極および前記ソース電極との間に、それぞれ界面層が挿入され、 界面層は、アクセプター分子の領域およびドナー分子の領域によって構成され、 ドレイン電極またはソース電極からなる群から選択される少なくとも1つの電極が、前記アクセプター分子の領域と接しており、 前記電極は、前記ドナー分子の領域と接しており、 前記ドナー分子の領域と前記アクセプター分子の領域とが接しており、 前記アクセプター分子の領域は活性層と接しており、 前記ドナー分子の領域は活性層と接している、有機FET。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V

Fターム (16件)：

5F110AA30 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK17 ,  5F110HK18 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特公平7-19925号公報(第2-3頁)
  
• 強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法、機能性膜、機能性膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101613   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平9-2466426号公報(特に図1)