特許

J-GLOBAL ID：200903018550965560

強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタ、強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法、機能性膜、機能性膜の製造方法

発明者： 下田 達也 ,  西川 尚男 ,  古沢 昌宏 ,  名取 栄治 ,  三谷 洋興 ,  大久保 貴志
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101613
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299582
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 酸化物強誘電体材料やポリフッ化ビニリデン系の有機強誘電体材料でないものからなる、新規の強誘電体膜およびその製造方法を提供する。上記本発明に係る強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタおよびその製造方法を提供する。上記本発明に係る強誘電体キャパシタを有する強誘電体強誘電体メモリ装置を提供する。新規な構成を有する機能性膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】 強誘電体膜30は、ドナーを含む膜32と、アクセプターを含む膜34とを有する。ドナーを含む膜32およびアクセプターを含む膜34の少なくとも一方は、物質を自発的に集合させ、化学吸着させることにより形成された自己組織化膜を有する。機能性膜210は、ドナーを含む膜212と、アクセプターを含む膜214とを有する。

請求項（抜粋）：

ドナーを含む膜と、アクセプターを含む膜とを有し、前記ドナーを含む膜および前記アクセプターを含む膜の少なくとも一方は、物質を自発的に集合させ、化学吸着させることにより形成された自己組織化膜を有する、強誘電体膜。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00

FI (7件)：

H01B 3/00 F ,  H01L 21/312 A ,  H01L 21/312 M ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 29/28

Fターム (25件)：

5F058AA07 ,  5F058AD01 ,  5F058AD02 ,  5F058AD07 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083FR07 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5G303AA10 ,  5G303AB05 ,  5G303BA03 ,  5G303CA09 ,  5G303DA01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-073336
  
• 有機薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-243880   出願人：株式会社東芝
• 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-161431   出願人：科学技術振興事業団, 財団法人神奈川科学技術アカデミー