シリコン本体にシリサイド領域を形成する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571483
公開番号（公開出願番号）：特表2003-522402
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2003年07月22日
要約：

【要約】本発明の方法は、シリコン本体またはその上に形成された集積電子素子への電気接触抵抗の低減を含んだ様々な目的に有用なシリサイド領域を、シリコン本体に作成する。本発明の方法は、例えばイオン注入を用いてシリコン本体にアモルファス領域を作成するステップと、チタン、コバルトまたはニッケルなどの金属をアモルファス領域に接触するように形成または配置するステップと、レーザのような光源からの強い光を金属に照射して、金属原子をアモルファス領域内に拡散させるステップと、を包含して、シリサイド組成物を有する合金領域を形成する。MISFET装置を製造する、本発明の方法の適用例では、好ましくは、少なくともMISFET装置のゲートのアモルファス領域に化学量論的な割合の金属およびシリコン原子を作成するのに十分な厚さで金属層が形成される。

請求項（抜粋）：

a)シリコン本体にアモルファス領域を作成するステップと、 b)該アモルファス領域に接触するように金属層を形成するステップと、 c)該金属層に光を照射して、金属を該アモルファス領域内に拡散させ、シリサイド組成物の合金領域を形成するステップと、を包含する、方法であって、該照射するステップが、少なくとも、該合金領域を露出させるように、該アモルファス領域上に重なる該金属が消費されるまで進み、該金属反射率に関連して、該露出された合金領域の増大された反射率が、該合金領域のさらなる大幅な溶融を防ぐために十分である、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L 21/28 301 S , H01L 21/28 301 D , H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 617 L

Fターム (142件)：

4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD04 , 4M104DD06 , 4M104DD23 , 4M104DD26 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD80 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104EE02 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF14 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH25 , 5F033HH26 , 5F033HH27 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033KK04 , 5F033KK25 , 5F033KK27 , 5F033LL06 , 5F033PP07 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ53 , 5F033QQ58 , 5F033QQ59 , 5F033QQ61 , 5F033QQ62 , 5F033QQ64 , 5F033QQ65 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033TT08 , 5F033VV06 , 5F033WW00 , 5F033WW07 , 5F033WW08 , 5F033XX09 , 5F033XX10 , 5F110AA03 , 5F110CC02 , 5F110DD24 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110EE41 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG28 , 5F110HJ01 , 5F110HK05 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HK40 , 5F110HK41 , 5F110HL03 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN62 , 5F110QQ11 , 5F140AA01 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA13 , 5F140BA16 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF34 , 5F140BF38 , 5F140BG08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG32 , 5F140BG34 , 5F140BG37 , 5F140BG43 , 5F140BG44 , 5F140BG45 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BG56 , 5F140BH22 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK12 , 5F140BK13 , 5F140BK22 , 5F140BK24 , 5F140BK29 , 5F140BK30 , 5F140BK32 , 5F140BK34 , 5F140BK38 , 5F140BK39 , 5F140CB01 , 5F140CC00 , 5F140CC03 , 5F140CE18 , 5F140CF04

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-330119 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭62-004371

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