特許
J-GLOBAL ID：200903051021719250
ドライエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268466
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111678
出願日： 1997年10月01日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 端面が垂直に形成された半導体を得るためのドライエッチング方法、およびマスク材料を容易に除去できるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 半導体1の一部の表面上にSiO2層2およびAl2O3層3で構成されるマスクを形成し、半導体1の表面に、この表面に対して斜めにイオンを入射する。
請求項（抜粋）：
半導体の一部の表面上にマスクを形成し、前記半導体の表面に、この表面に対して斜めにイオンを入射することを特徴とするドライエッチング方法。
引用特許：
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