III族-N系結晶の気相エッチング方法および再成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保田千賀志 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-212374
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045670
出願日： 1995年07月29日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】プラズマ照射を行わない気相によるエッチング方法で、表面性状が良好なエッチング面を得ることができ、従ってエッチング面への再成長が可能であり、結晶がダメージを受けることのないIII族-N系結晶のエッチング方法と、該エッチング終了後直ちに再成長を行う方法とを提供する。【解決手段】 III族-N系結晶を、(1)ハロゲンガスおよび水素化ハロゲンガスからなるハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種と、水素ガスとの混合気流下、(2)ハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種の気流下、または(3)前記(1)または前記(2)を不活性ガスで希釈した気流下でエッチングする。また、この気相エッチング方法でエッチングし、続いて該エッチング面に再成長を行う。

請求項（抜粋）：

III族-N系結晶を、(1)ハロゲンガスおよび水素化ハロゲンガスからなるハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種と、水素ガスとの混合気流下、(2)ハロゲンガス系グループから選ばれる少なくとも1種の気流下、または(3)前記(1)または前記(2)を不活性ガスで希釈した気流下、でエッチングすることを特徴とするIII族-N系結晶の気相エッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/302 J , C23F 4/00 E , H01L 21/205 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体の加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-014350 出願人：株式会社フジクラ
特開平4-234114
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-189386 出願人：富士通株式会社

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