特許
J-GLOBAL ID：200903051028404157
MOSゲート駆動回路
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-147063
公開番号（公開出願番号）：特開2003-339151
出願日： 2002年05月22日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】MOSゲート駆動回路の入力信号パルスが短い幅でも、dV/dtによる誤動作を防止する。【解決手段】入力信号の立上りと立下りでそれぞれオン信号パルスとオフ信号パルスとを作成するパルス発生回路と、該オン信号パルスとオフ信号パルスとが入力される高耐圧NMOSと、高耐圧NMOSのドレインに接続した抵抗と、フローティング電位を基準とした論理回路から構成されていてGNDレベルのパルス信号をフローティング電位基準の信号にレベル変換するレベルシフト回路と、前記論理回路の出力側に接続されたラッチ回路とを備え、オフ信号パルスのパルス幅をオン信号パルス幅より長く設定する。
請求項（抜粋）：
入力信号の立ち上がりと立下りでそれぞれオン信号パルスとオフ信号パルスとを作成するパルス発生回路と、該オン信号パルスとオフ信号パルスとが入力される高耐圧NMOSと、高耐圧NMOSのドレインに接続された抵抗と、フローティング電位を基準とした論理回路から構成されていてGNDレベルのパルス信号をフローティング電位基準の信号にレベル変換するレベルシフト回路と、前記論理回路の出力側に接続されたラッチ回路とを備えた回路から成るMOSゲート駆動回路において、前記オフ信号パルスのパルス幅をオン信号パルスのパルス幅より長く設定したことを特徴とするMOSゲート駆動回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 1/08 A
, H02M 1/00 E
5H740BA11
, 5H740BA12
, 5H740BB05
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH07
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740MM01
