特許
J-GLOBAL ID:200903051044258004
常圧プラズマを用いたフィルム基材への薄膜形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-197559
公開番号(公開出願番号):特開2000-026632
出願日: 1998年07月13日
公開日(公表日): 2000年01月25日
要約:
【要約】【課題】TAC等の吸湿性を有するフィルム基材の表面上に、常圧プラズマを用いて薄膜を連続的に形成するにあたり、その基材フィルムに皺が発生することを防止する。【解決手段】大気圧近傍の圧力下において、フィルム基材Fを対向電極11,12間に通過させながら、対向電極11,12間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いてフィルム基材Fの表面に薄膜を連続的に形成する方法において、金属元素含有アルコキシド0.01〜5体積%、アルゴンガス50〜99.99体積%からなるガス雰囲気下で、対向電極11,12間に、電界強度が1〜90kV/cmとなるようにパルス電圧を印加して薄膜を形成するとともに、その成膜中におけるフィルム基材Fの温度を100°C以下に制御することで、プラズマ放電空間でのフィルム基材の温度(含水率)の変動を抑える。
請求項(抜粋):
互いに対向する一対の電極で構成され、その一方または双方の電極の対向面が固体誘電体で被覆されてなる対向電極を、大気圧近傍の圧力下に配置し、この対向電極間にフィルム基材を通過させながら、対向電極間にパルス電圧を印加することにより放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いてフィルム基材の表面に薄膜を連続的に形成する方法であって、金属元素含有アルコキシド0.01〜5体積%、アルゴンガス50〜99.99体積%からなるガス雰囲気下で、対向電極間に、電界強度が1〜90kV/cmとなるようにパルス電圧を印加して薄膜を形成するとともに、その成膜中におけるフィルム基材の温度を100°C以下に制御することを特徴とする、常圧プラズマを用いたフィルム基材への薄膜形成方法。
IPC (3件):
C08J 7/00 306
, C08J 7/00 CEP
, H05H 1/24
FI (3件):
C08J 7/00 306
, C08J 7/00 CEP
, H05H 1/24
Fターム (10件):
4F073AA14
, 4F073AA32
, 4F073BA03
, 4F073CA02
, 4F073CA08
, 4F073CA65
, 4F073CA70
, 4F073HA04
, 4F073HA12
, 4F073HA14
引用特許:
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