特許

J-GLOBAL ID：200903051048358623

SIMOX半導体構造および形成方法

発明者： フェン-イ・ファン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236905
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094082
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】イオン注入により作られるシリコンオンインシュレータ(SOI)基板である、SIMOXの転位密度を減少させる構造を提供する。【解決手段】本発明は、シリコン基板10、イオン注入によりシリコン基板10上に形成されたドープ・ガラス層30、およびドープ・ガラス層30の上部に形成された薄いシリコン層32を含む構造を提供する。イオン注入により形成されたドープ・ガラス層30は、シリコン層32の転位密度を減少させることができる。ドープ・ガラス層30は、硼珪酸塩ガラス(boron silicate glass)含み、酸素と硼素のイオン注入により形成することができる。ドープ・ガラス層30は、燐珪酸塩ガラス(phosphorous silicate glass)を含み、燐と酸素のイオン注入により形成することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、イオン注入により前記シリコン基板上に形成されたドープ・ガラス層と、前記ドープ・ガラス層を形成する前記イオン注入により転位密度が減少される、前記シリコン基板上に形成されたシリコン層とを含む、SIMOX半導体構造。

IPC (4件)：

H01L 27/12 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602

FI (5件)：

H01L 27/12 E ,  C23C 14/48 A ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 21/265 W ,  H01L 21/265 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-075379
  
• 特開平3-149822
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-202083   出願人：日本電気株式会社