特許

J-GLOBAL ID：200903051072309447

ウエハメッキ装置

発明者： 本郷 明久 ,  小榑 直明 ,  加藤 隆男 ,  井上 裕章
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-143019
公開番号（公開出願番号）：特開平11-335896
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月07日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの表面、該表面に形成された溝や穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去する処理をした後、再度酸化膜が形成される前にメッキ膜を形成できるウエハメッキ装置を提供する。【解決手段】 ウエハの表面、該表面に形成された溝及び/又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した後、メッキを施すウエハメッキ装置において、1つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液と、メッキを施すメッキ液を順次入替えてメッキを施すことを特徴とする。このように1つのメッキ槽の中で酸化膜除去とメッキ膜形成とを連続して行うことにより、酸化膜の除去処理後、ウエハを空中に曝すことがなくメッキ処理を行うことができるから、再度酸化膜が形成されないうちにメッキ膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

ウエハの表面、該表面に形成された溝及び/又は穴の下地の表面に存在する酸化膜を除去した後、メッキを施すウエハメッキ装置において、1つのメッキ槽の中で酸化膜を除去するための処理液と、メッキを施すメッキ液を順次入れ替えてメッキを施すことを特徴とするウエハメッキ装置。

IPC (4件)：

C25D 17/00 ,  C25D 5/34 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

C25D 17/00 E ,  C25D 5/34 ,  H01L 21/288 Z ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-310393
  
• 特開平2-263996
  
• 特開昭55-012619
  
• 特開昭48-076745
  
• 半導体ウエハのめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-168160   出願人：日本電装株式会社