薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-243631
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082552
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【構成】バケットタイプの質量非分離型のイオン注入装置により絶縁薄膜を通してシリコン層中に注入された不純物を、まずゲート電極のチャンネルの長さ方向の寸法を小さくした後に、レーザビームの照射で活性化することにより、自己整合型の薄膜トランジスタを大面積にわたって形成する。【効果】寄生容量が極めて小さく電気的特性の優れた自己整合型の薄膜トランジスタを大面積の絶縁基板上に形成することができる。この結果フリッカーや左右ムラのない表示部を持ち、高速の駆動回路を内蔵する大面積のアクティブマトリクス型の液晶表示体を実現できる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にシリコン層を被着形成する工程と、上記シリコン層をパターニングする工程と、絶縁薄膜を被着形成する工程と、上記絶縁薄膜上にゲート電極を形成する工程と、上記絶縁薄膜を通して上記シリコン層にバケットタイプの質量非分離型のイオン注入装置によって不純物を注入する工程と、上記ゲート電極の側面を薄膜トランジスタのチャンネルの長さ方向にエッチングする工程と、レーザビームを基板の薄膜トランジスタが形成される方向から照射することによって上記不純物を活性化する工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 29/78 311 Y , H01L 21/265 G , H01L 21/265 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-360581
特開平4-360580
絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-030220 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る