特許

J-GLOBAL ID：200903051098506470

半導体薄膜の製造方法および製造装置

発明者： 斎藤 広明
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  西山 雅也 ,  古賀 哲次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-168734
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335800
出願日： 2006年06月19日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】基板面内の膜質の均一性が高く、成膜速度も速い、特にCVD法による半導体薄膜の製造方法と装置を提供すること。【解決手段】反応炉のチャネルおよびこのチャネルに配置した基板を加熱しながら、チャネルの入り口から反応ガスをキャリアガスとともにチャネル内に導入し,基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、反応ガス、または反応ガスとキャリアガスの各一部を、チャネルの入り口から分岐した補助ガス流路に案内し、前記基板の上方部からチャネル内に導入する方法、かつこの方法を実施するよう構成した装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反応炉のチャネルおよびこのチャネルに配置した基板を加熱しながら、チャネルの入り口から反応ガスをキャリアガスとともにチャネル内に導入し,基板上に半導体薄膜を形成する半導体薄膜の製造方法において、反応ガス、または反応ガスとキャリアガスの各一部を、チャネルの入り口から分岐した補助ガス流路に案内し、前記基板の上方部からチャネル内に導入することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (30件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA15 ,  4K030KA02 ,  4K030LA12 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP01 ,  5F045DP03 ,  5F045DP07 ,  5F045EE20 ,  5F045EF08 ,  5F045EK03 ,  5F045EK22 ,  5F045EK30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-169559   出願人：日本スピンドル製造株式会社, 有限会社マイクロシステム