特許
J-GLOBAL ID：200903014638957562

半導体製造装置

発明者：
与川 慎太郎

与川 慎太郎 について

, 
中野 裕

中野 裕 について

, 
山本 暁

山本 暁 について


出願人/特許権者：
日本スピンドル製造株式会社

日本スピンドル製造株式会社 について

, 
有限会社マイクロシステム

有限会社マイクロシステム について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-169559
公開番号（公開出願番号）：特開2005-005594
出願日： 2003年06月13日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】基板面内の成膜速度および組成の均一性を保ち、コンタミネーションの発生を抑制するとともに、大口径の基板の処理または多数枚の基板の同時処理が可能な半導体製造装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体製造装置20は、チャンバー1内に、原料ガスを供給する原料ガス導入ノズル2a、2bと、基板10の上面に対して斜めに整流ガスを吹出す複数の整流ガス供給ノズル3bとを有している。複数の整流ガス供給ノズル3bは、原料ガスの上流側から下流側へ向って配列されている。複数の整流ガス供給ノズル3bの各々と基板10の上面との間隔は、原料ガスの上流側から下流側へ向かうほど大きくなっている。チャンバー1内の上面は整流ガス供給ノズル3bからの整流ガスの吹出し方向に沿うように傾斜している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を内部に保持可能なチャンバーと、 前記基板の上面に沿って原料ガスを流すように前記チャンバーの一側に配置された原料ガス吹出し部と、 前記基板の上面に対向して前記チャンバー内に配置され、かつ前記基板の上面に対して斜めに整流ガスを吹出すように構成された複数の整流ガス吹出し部とを備え、 前記一側から前記チャンバーの他側方へ向って配列された複数の前記整流ガス吹出し部の各々と前記基板の上面との間隔は前記一側から前記他側方へ向かうほど大きくなっており、かつ前記チャンバー内面は前記整流ガス吹出し部からの整流ガスの吹出し方向に沿うように傾斜している、半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455
Fターム (23件)：
4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030EA04 ,  4K030EA06 ,  4K030EA08 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF09 ,  5F045DP14 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EC07 ,  5F045EE13 ,  5F045EE20 ,  5F045EF13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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