特許

J-GLOBAL ID：200903051128697860

炭化珪素半導体装置及びその製造方法

発明者： 奥野 英一 ,  小島 淳
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060189
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261061
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入によってチャネル領域を構成する場合においても良好なキャリア移動度を有するようにする。【解決手段】 p- 型炭化珪素ベース領域3a、3b含むn- 型炭化珪素エピ層2の表面に酸化シリコン膜30を成膜する。その後、熱処理を行って、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3bの表面部分に介在するp型不純物を酸化シリコン膜30に外部拡散させる。これにより、p- 型炭化珪素ベース領域3a、3bの表層部はp型不純物が少なくなる。そして、このp- 型炭化珪素ベース領域3a、3bにイオン注入を行うことで表面チャネル層5aを形成する。これにより、p型不純物を補償してできる中性不純物の量を少なくでき、キャリア移動度の向上を図ることができる。

請求項（抜粋）：

主表面及び主表面と反対面である裏面を有し、炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)と、前記半導体基板の主表面上に形成され、前記半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型のドレイン層(2)と、前記ドレイン層の表層部の所定領域に形成され、所定深さを有する第2導電型の半導体層(3a、3b)と、前記半導体層の表層部の所定領域に形成され、該半導体層の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4a、4b)と、前記半導体層の表面部及び前記ドレイン層の表面部に第1導電型の不純物をイオン注入することで、前記ソース領域と前記ドレイン層とを繋ぐように形成された、炭化珪素よりなる第1導電型の表面チャネル層(5a)と、前記表面チャネル層の表面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、前記半導体層及び前記ソース領域に接触するように形成されたソース電極(10)と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン電極(11)とを備え、前記表面チャネル層内に介在している第2導電型不純物の濃度は、前記半導体層のうち前記表面チャネル層よりも下方に位置する領域に介在している第2導電型不純物の濃度よりも低くなっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/223 ,  H01L 29/16

FI (4件)：

H01L 29/78 652 E ,  H01L 21/223 A ,  H01L 29/16 ,  H01L 29/78 652 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-006561   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平1-262621
  
• 特開平1-262621